Физические Основы Микроэлектроники

Методические указания по выполнению лабораторных работ

Авторы: Галеев А. П., Васильев Е. В., Соколова О. В.

Выполнение лабораторных работ по курсу “Физико-химические основы конструирования технологии и микроэлектроники”, ставит своей целью закрепление теоретических знаний, полученных студентами в лекционном курсе, а также приобретение навыков самостоятельных научных исследований при обучении по специальности 200800 “Конструирование и технология радиоэлектронных средств”.

Целью лабораторных работ является изучение физических явлений в полупроводниковых структурах, являющихся элементами и компонентами конструкций радиоэлектронных устройств, овладение математическим аппаратом, описывающим эти явления, и развитие способностей нахождения взаимосвязей между физическими явлениями и конструкциями устройств. Кроме того, полученные сведения позволяют определить нежелательные эффекты в структурах, которые необходимо учитывать при разработке устройств, особенно микроэлектронных, что приобретает существенное значение в подготовке конструктора-технолога радиоэлектронных средств.

При подготовке к лабораторным работам студентам необходимо, прежде всего, самостоятельно проработать теоретический материал, продумать порядок выполнения работы, ответить на вопросы, предлагаемые в описании к работе.

В содержание отчета необходимо включить обработку и статистический анализ полученных экспериментальных результатов.

Ниже приводится перечень лабораторных работ, методические указания к которым можно скачать.
  1. Исследование параметров кремниевых и германиевых p-n переходов и их температурных зависимостей
  2. Изучение фотоэлектрических свойств полупроводниковых p-n переходов
  3. Исследование электрофизических свойств структуры металл-диэлектрик-полупроводник методом cv-метрии
  4. Исследование физических свойств полупроводника методом холл-эффекта
  5. Исследование импульсных и частотных свойств p-n перехода
  6. Исследование температурной зависимости проводимости пленочного резистора и емкости пленочного конденсатора
  7. Полупроводники в сильном электрическом поле