Физические Основы Микроэлектроники
Методические указания по выполнению лабораторных работ
Авторы: Галеев А. П., Васильев Е. В., Соколова О. В.
Выполнение лабораторных работ по курсу “Физико-химические основы конструирования технологии и микроэлектроники”, ставит своей целью закрепление теоретических знаний, полученных студентами в лекционном курсе, а также приобретение навыков самостоятельных научных исследований при обучении по специальности 200800 “Конструирование и технология радиоэлектронных средств”.
Целью лабораторных работ является изучение физических явлений в полупроводниковых структурах, являющихся элементами и компонентами конструкций радиоэлектронных устройств, овладение математическим аппаратом, описывающим эти явления, и развитие способностей нахождения взаимосвязей между физическими явлениями и конструкциями устройств. Кроме того, полученные сведения позволяют определить нежелательные эффекты в структурах, которые необходимо учитывать при разработке устройств, особенно микроэлектронных, что приобретает существенное значение в подготовке конструктора-технолога радиоэлектронных средств.
При подготовке к лабораторным работам студентам необходимо, прежде всего, самостоятельно проработать теоретический материал, продумать порядок выполнения работы, ответить на вопросы, предлагаемые в описании к работе.
В содержание отчета необходимо включить обработку и статистический анализ полученных экспериментальных результатов.
Ниже приводится перечень лабораторных работ, методические указания к которым можно скачать.- Исследование параметров кремниевых и германиевых p-n переходов и их температурных зависимостей
- Изучение фотоэлектрических свойств полупроводниковых p-n переходов
- Исследование электрофизических свойств структуры металл-диэлектрик-полупроводник методом cv-метрии
- Исследование физических свойств полупроводника методом холл-эффекта
- Исследование импульсных и частотных свойств p-n перехода
- Исследование температурной зависимости проводимости пленочного резистора и емкости пленочного конденсатора
- Полупроводники в сильном электрическом поле