О кафедре

Кафедра КПРЭС является внутренней кафедрой института радиотехнических и телекоммуникационных систем МИРЭА, выпускающей бакалавров по направлению 11.03.03 "Конструирование и технология электронных средств" и магистров по Магистерской программе «Конструирование и технология радиоэлектронных средств». Создана в МИРЭА в 1958г. и ведет подготовку радиоинженеров по специальности «Проектирование и технология радиоэлектронных средств».

О том, как проходит обучение, какие изучаются дисциплины, каков состав кафедры, ее научное направление и т.д., а также информацию для абитуриентов можно прочитать в разделах «О кафедре» и «Абитуриентам»



-->

Специализированная лаборатория технологических процессов производства РЭС

jQuery slideshow by Pixedelic
Испытательный стенд с программным управлением параметрами тестов
Исследование печатных плат
Общий вид лаборатории
Испытание проволочных соединений
Установка тестирования микросоединений
Обработка исследуемых данных с использованием специализированного программного обеспечения
Металлографические исследования
Захват компонента (фрагмент)
Установка компонента
Ремонтная станция. Монтаж/демонтаж компонентов
Монтаж печатного узла
Дисплей инструментария
Камера тепла и холода. Диапазон воспроизводимой температуры от -85°C до -180°C.



Современные технологии



Российскими учеными раскрыт секрет материала для сверхбыстрой компьютерной памяти нового поколения


Москва, март 2018
В 2014 году обнаружено, что в слоистом дисульфиде тантала при воздействии на него сверхкороткими лазерными или электрическими импульсами в облучённой области меняется состояние материала. В результате, он из диэлектрика превращается в проводник или наоборот и остается в этом состоянии сколь угодно долго. Время переключения - одна пикосекунда, т.е. на порядки быстрее самых быстрых элементов современной компьютерной памяти.
До сих пор оставалось непонятным, почему вещество ведёт себя описанным образом
Учеными НИТУ «МИСиС» разработана универсальная теоретическая модель, с помощью которой удалось описать образование и преобразование нано-структурной мозаики (см. рисунок б).
После обработки электрическими импульсами в образце слоистого дисульфида тантала часть атомов металла вылетает из решетки, из-за чего формируются дефекты — заряженные вакансии электронного кристалла. Но вместо того, чтобы максимально дистанцироваться друг от друга, заряды «размазываются» по линейным цепочкам атомов тантала, образующим границы зон с разным состоянием атомов тантала — доменов, а затем эти цепочки вообще связываются в некую глобальную сеть. Именно манипуляции этой наносетью отвечают за эффекты переключения и памяти.
По словам ученых, благодаря разработанной теории можно утверждать, что доменное состояние дисульфида тантала действительно можно использовать для долговременного хранения и сверхбыстрой работы с информацией.

Источник: МИСиС, 3dnews




Первые в мире чипы с топологией 7 нм


Олбани, Нью-Йорк - 9 июля 2015:
IBM Research (NYSE: IBM ) заявила о разработке тестовых полупроводниковых чипов с транзисторами, впервые в мире выполненными по технологическим нормам 7 нм (нанометров). Новый чип разработан IBM в сотрудничестве с GLOBALFOUNDRIES, Samsung и STMicroelectronics на территории Центра исследования нанотехнологий Политехнического института при Университете штата Нью-Йорк. Технология позволит размещать на одном чипе до 20 млрд транзисторов и использовать их во множестве разных устройств: от смартфонов до космических кораблей. Для примера, процессор в iPhone 6 имеет примерно 2 млрд транзисторов, а самый мощный 18-ядерный серверный процессор Intel Xeon — около 5,5 млрд транзисторов. Кроме того, освоенная технология позволяет добиться более высоких показателей производительности, уменьшения энергопотребления и улучшенной масштабируемости. Последее важно при освоении в будущем технологических норм в 5 нм и меньше. Всего этого удалось достичь благодаря внедрению кремний-германиевых материалов, технологических новшеств для уменьшения шага между элементами до 30-нм и полной интеграции многоуровневой экстремальной ультрафиолетовой (EUV) литографии на длине волны 13,5 нм.

P.S. Буквально спустя два года (в 2017г) IBM совместно с компаниями GlobalFoundries и Samsung Electronics объявила о создании первых рабочих образцов процессоров, выполненных по технологическим нормам 5 нм

Материалы по теме: http://ibm.comhttp://www.cnews.ru 




Лазерный импульс в 500 000 000 000 000 Вт

Предусилитель Лазерная установка
На пути к решению проблемы управляемого термоядерного синтеза сделан очередной шаг. Одно из традиционных направлений предполагает использование мощных лазеров, излучение которых фокусируется на мишени из изотопов водорода.

Согласно расчетам, характеристики возникающей при этом плазмы (температура, плотность, время жизни) могут удовлетворить критерию Лоусона (критерию возможности протекания реакции синтеза). Реализация такого проекта возможна при использовании лазеров с исключительно высокими параметрами излучения.

Исследователям Ливерморской национальной лаборатории (США, Калифорния) удалось достичь в лазерном импульсе мощности в 500 тераватт с энергией 2,03 МДж, что в 1000 раз превышает значение потребляемой пиковой мощности в США. Такой результат обеспечивала синхронная работа 192 лазеров. Это рекорд для ультрафиолетовых лазеров.

Материалы по теме:http://phys.org/





Частица Бога







Архив сообщений

При наведении на текст, появляется скрытый текст - BlogGood.ru

Новости

октябрь 2019
Команду РТУ МИРЭА под научно-техническим руководством преподавателей кафедры конструирования и производства радиоэлектронных средств Института РТС Дмитрия Воруничева и Михаила Костина представляли сотрудники кафедры радиоволновых процессов и технологий Алексей Ярлыков и Дмитрий Гладкий. Они показали лучший результат по направлению «Радионавигация». Подробности здесь.

сентябрь 2019
Обновлены образцы заданий и отчетов по практике и НИР студентов

сентябрь 2019
Размещено обновленное (2019г.) Положение о практике студентов

сентябрь 2019
В авусте 2019 г. в МИРЭА состоялось открытие детского технопарка "Альтаир", которое широко освещалось в прессе и на телевидении. Успешное создание технопарка в значительной степени обязано инициативе сотрудников кафедры Д.С. Воруничева и М.С. Костина. Надеемся, что учебные программы технопарка позволят сформировать у старшекласников интерес к радиоэлектронике и подготовят их к осознаному поступлению на наше направление в МИРЭА. Фотоальбом открытия технопарка

21.06.19
Поздравляем бакалавров с успешной защитой выпускных квалификационных работ.

апрель 2019
Преддипломная практика РКБО-1,2,3-15 Приказ о распределении студентов

апрель 2019
Обновлены материалы по ВКР бакалавров

март 2019
Магистрам группы РКМО-1-18: подготовлены задания по СТПЭС

январь 2019

Кликните по фото
Кликните по фото
Приказом ректора РТУ МИРЭА за плодотворную работу в системе высшей школы и в связи с 80-летием со дня рождения доценту кафедры КПРЭС института РТС кандидату технических наук Мушинскому Александру Арсеньевичу объявлена благодарность.

Кликните по фото
Кликните по фото
Приказом ректора РТУ МИРЭА за плодотворную работу в системе высшей школы и в связи с 60-летием со дня рождения заведующему кафедрой КПРЭС института РТС доктору технических наук Увайсову Сайгиду Увайсовичу объявлена благодарность.

24.12.2018
ВНИМАНИЕ! Отчеты по практикам!

На основании приказа по университету формы задания и отчета по практикам изменились. Новые материалы и шаблоны форм размещены здесь

19.12.2018

Фтографии с вечера, посвященного Юбилею кафедры можно посмотреть здесь

13.12.2018


ПОЗДРАВЛЯЕМ
Юрия Владимировича Дронова с Юбилеем! Желаем здоровья, благополучия, творческих успехов!

Кафедра КПРЭС.

Декабрь 2018
В МИРЭА прошел день открытых дверей.
Здесь представлены фотографии, сделанные у стенда кафедры КПРЭС

Сентябрь 2018
Приказы и списки распределения по практикам и НИР на осенний семестр бакалавров и магистров размещены здесь

29.06.2018

ВНИМАНИЕ:ГРАФИК ПЕРЕСДАЧ 30.06 и 2.07

Дисциплины: ИУЭС и Схемотехническое проектирование
(Преп. Мушинский А.А.)
30.06.18 и 2.07.18 с 12 до 14 ч ауд. Б413а

23.05.2018
На кафедре КПРЭС было проведено заседание одноименной секции 3-ей научно-технической конференции студентов и аспирантов РТУ. Свои доклады представили 29 магистрантов и 14 бакалавров, обучающихся по различным направлениям подготовки. По итогам проведения секции были отобраны по 3 лучших доклада среди магистрантов и бакалавров. Победителям секции будет предоставлена возможность опубликовать свои труды в сборнике трудов конференции.

17.03.2018


ПОЗДРАВЛЯЕМ
Евгения Михайловича Лазарева с Юбилеем! Желаем здоровья, благополучия, творческих успехов!

Кафедра КПРЭС.

март 2018
Магистрам 1-го года: подготовлены задания по СТПЭС

Февраль 2018
Приказы и списки распределения по практикам бакалавров и магистров размещены здесь

Декабрь 2017

ВНИМАНИЕ РУКОВОДИТЕЛЕЙ ПРАКТИК И СТУДЕНТОВ
4 курса бакалавров.
Подходит срок сдачи отчетов по практикам и НИР.
Шаблоны бланков и "Положение о практике" находятся здесь

Ноябрь 2017
В МИРЭА прошел день открытых дверей.
Здесь представлены фотографии, сделанные у стенда кафедры КПРЭС

Сент 2017
Магистрам 1-го года: материалы по курсу "Компьютерные технологии ..." размещены здесь

июль 2017
На сайте размещены новые материалы по практике:
- Положение о практике
- Форма задания
- Форма отчета

апрель 2017
В раздел "Учебные материалы" добавлены ВАРИАНТЫ ЗАДАНИЙ по курсу "Схемотехническое проектирование ..."

март2017
Опубликованы результаты очередной аккредитации кафедры. По всем представленным направлениям аккредитация успешно пройдена.

22.02.2017
Добавлены новые задания для практической работы по ИУЭС. Отредактированы титульный лист и бланк задания.

17.01.2017
Технологические ограничения тонкопленочных ГИМС размещены здесь

декабрь 2016
В 2016 году фактически завершилось объединение нашей кафедры с аналогичным подразделением МГУПИ. Новым заведующим кафедры КПРЭС утвержден
Увайсов Сайгид Увайсович.
Пожелаем ему успехов и удачи в работе

11.10.2016
Магистрам 1-го года: материалы по курсу "Компьютерные технологии ..." размещены здесь

Архив новостей